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新品發布 | 1200V i23 ED封裝半橋IGBT模塊

發布時間:2025-07-25

i23 900A/1200V系列模塊能夠有效降低飽和壓降和開關損耗,符合業界最高的可靠性標準和要求,助力實現高能效的新能源發電和工控等領域的設計方案。該系列產品采用最新的封裝技術,以實現i23高電流密度的優異性能,同時降低模塊的內部阻抗,使得模塊能夠承載更大的系統電流,滿足更為廣泛的應用需求。



產品型號

  • SISD0450ED120i23

  • SISD0600ED120i23

  • SISD0900ED120i23


產品特點

  • 極低飽和壓降VCEsat=1.55V (Ic=900A, VGE=15 V,Tvj=25 °C)

  • 增強FRD設計,VF降低0.25V,滿足儲能PCS應用場景

  • 軟恢復特性d23二極管,保證反向恢復時電壓峰值安全工作區,更加適配三電平儲能應用

  • 高性能絕緣基板,熱阻降低,散熱性能更好

  • 損耗和散熱性能的優異結合,對于逆變應用和整流應用具有綜合優勢

  • 行業標準封裝,模塊內部低阻抗設計

  • 器件高可靠性,長期運行結溫175℃


競爭優勢

  • 具有深厚研發經驗團隊設計的國產IGBT和二極管芯片組

  • 針對900A大電流功率模塊的封裝設計,包含銅線綁定、大面積功率端子設計等

  • 較窄的參數分布,針對并聯應用而無需特別篩選

  • 抗濕度和鹽霧等高可靠性

  • 生產、質量和業務連續性支持


應用領域

  • 1500V集中式光伏逆變器

  • 集中式儲能變流器

  • 商用車電驅

  • 變頻器

  • 逆變焊機

  • 牽引輔助電源

  • 大功率電源,如UPS等

  • 變頻電源


1200V i23 ED封裝半橋IGBT模塊,現已量產。歡迎廣大客戶訪問賽晶亞太半導體公司網站 https://www.swiss-sem.com/,查閱詳情、索取樣品。


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